和歌山大学 システム工学部 精密物質学科 ナノサイエンス系 物性理論研究室

Introduction

過去に当研究室に所属したメンバーとその卒業研究テーマを紹介します。

OB

平成28(2016)年度

平成２８年卒業生
修士
  • 岸　彩香（化合物混晶半導体の電子状態のIQB理論による解析）
  • 中野友斗（酸化ガリウム中の酸素空孔が及ぼす電子状態変化に関する第一原理計算）
    • 学部
  • 川井一輝（組成ゆらぎによる量子ドット発光デバイスのスペクトル変化）
  • 居平吉弘（電磁場が誘起する電子遷移の理論解析）
  • 小林愼之介（FET絶縁層における欠陥のパーコレーション）
  • 辻林佳央理（2次元格子模型による高分子の力学特性）
  • 平岡敬也（波束を用いたトンネル効果の理論的解析）
  • 廣野秀吉（４元混晶InGaAsPにおける電子状態の理論解析）
  • 山田将輝（半導体中の格子間不純物原子の超拡散）

    • 平成27(2015)年度

    平成２７年卒業生
    修士
  • 辻尾健志（GaN中の空孔欠陥周りの格子変位が引き起こす電子状態変化の第一原理計算）
  • 藤本徳明（II-VI族化合物混晶半導体の電子状態の理論的研究）
  • 松田一真（嫌光性物質の理論的探索：光誘起構造変化の機構）
    • 学部
  • 戎　俊樹（半導体中の等価電子不純物の電子状態）
  • 亀井拓己（高次フォトニックギャップを用いたX線領域の光導波路の研究）
  • 黒田侑奈（Interacting quasi-band model を用いたSi1-xSnxの電子状態の計算）
  • 中村浩基（半導体中の希土類不純物を介した励起エネルギー移動過程）
  • 橋本彩花（半導体中の格子間不純物原子の非熱的拡散過程）
  • 松村琢琳（2次元ナノ構造体の磁気特性）

    • 平成26(2014)年度

    平成２６年卒業生
    修士
  • 水越隆大（ゲルマニウム表面酸化過程の研究）
    • 学部
  • 大国友篤（アモルファス半導体の電子状態と光吸収）
  • 飯田　潤（半導体中の不純物原子のBC機構による拡散）
  • 磯脇丈太朗（ランダム塩基配列におけるタンパク質の長さ）
  • 神平憲司（巨大な分子間に働くファンデルワールス力）
  • 岸　彩香（化合物混晶半導体の電子状態）
  • 中野友斗（化合物半導体中の等価電子不純物）
  • 山本康平（第一原理計算によるカーボンナノチューブの力学特性）

    • 平成25(2013)年度

    平成２５年卒業生
    修士
  • 藤川雄兵（混晶半導体の電子状態の理論：非対角ランダムネス）
  • 田中　涼（Si(100)表面上におけるスチレン誘導体鎖の電子状態）
    • 学部
  • 近藤はるか（長さ変化する一本鎖高分子の統計力学）
  • 笠松健太（薄膜太陽電池の発熱シミュレーション）
  • 辻尾健志（数値計算によるポリ酸(W_29La_4)の静電的安定性の解析）
  • 藤本徳明（局在電子系での格子波束ダイナミクス）
  • 松田一真（光誘起相転移に対する1次元モデル）

    • 平成24(2012)年度

    平成２４年卒業生
    修士
  • 南迫大樹（Si(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析）
  • 薮下聡良（シロキサン結合で補強された脂質二分子膜の電子状態計算）
  • 脇田昌紀（半導体中の欠陥反応に対するフォノンキック機構）
    • 学部
  • 水越隆大（第一原理計算を用いたシリコンナノチューブの安定性）
  • 乾　智之（半導体における格子間原子拡散）
  • 金内由紀（非線形格子振動と原子脱離）
  • 髙岡純平（１次元系での金属・非金属転移）
  • 竹本悠平（励起子間に働く熱的な引力）
  • 東　拓摩（励起寿命計算手法の開発）
  • 吉田竜満（１次元系における電子伝播）

    • 平成23(2011)年度

    平成２３年卒業生
    平成２３年卒業生
    修士
  • 鈴木圭以（半導体の欠陥反応の機構）
    • 学部
  • 田中　涼（中性子線による表面観測の理論）
  • 中村一善（ナノ構造体の非平衡加工の理論）
  • 長谷川智也（非対角ランダムネス系の光吸収スペクトル）
  • 浜岡益生（多層膜化による太陽光吸収の最適化）
  • 浜田拓也（光によるC60結晶の配列制御）

    • 平成22(2010)年度

    平成２２年卒業生
    平成２２年卒業生
    修士
  • 原　愛美（化合物混晶半導体の電子状態の理論）
    • 学部
  • 薮下聡良（格子不整合緩和によるINAsドットの発光波長変化）
  • 大山佳倫（半導体ヘテロ界面での電子状態）
  • 鈴　明日香（１次元フォトニック結晶における誘電率と高次バンドギャップの関係）
  • 田中里枝（半導体中の原子拡散の促進機構）
  • 藤川雄兵（化合物半導体の点欠陥の電子状態）
  • 南迫大樹（励起子分子による発光波長変調の理論）
  • 脇田昌紀（希土類添加半導体でのエネルギー移動）

    • 平成21(2009)年度

    平成21年卒業生
    修士
  • 日野　篤（混晶半導体の電子状態の理論）
  • 小池功剛（有機分子結晶の電子状態の理論）
  • 東　峻　（ナノ構造体の局所加工の理論）
  • 森　善彦（光電子放出の理論）
    • 学部
  • 遠藤智仁（グラファイトへのレーザー照射効果）
  • 坂本和優（希土類不純物での発光機構）
  • 新甚敦士（アモルファス半導体中の励起子）
  • 鈴木圭以（半導体の欠陥反応の機構）
  • 丸山　諒（高速光スイッチの理論）

    • 平成20(2008)年度

    平成20年卒業生
    修士
  • 松谷　聡（４配位電子格子結合系での構造変化の理論）
    • 学部
  • 原　愛美（金属・絶縁体転移の理論的研究）
  • 水本裕二（構造変化する有機ELの発光特性）
  • 南方靖雄（非指数関数的な発光減衰の理論解析）
  • 山崎浩之（低温での試料温度上昇に関する定圧比熱効果）

    • 平成19(2007)年度

    平成19年卒業生
    修士
  • 小山 嘉祐（カーボンナノチューブの構造変化の理論）
  • 板東 孝佳（非指数関数的な発光減衰の解析）
    • 学部
  • 日野　篤（化合物半導体中の不純物状態の理論）
  • 太田真仁（ダイヤモンド構造中の欠陥による電子状態変化）
  • 小池功剛（半導体ナノチューブの最小直径）
  • 東　峻　（半導体中の束縛励起子の理論的研究）
  • 森　善彦（光電子の反跳効果の理論）

    • 平成18(2006)年度

    平成18年卒業生
    修士
  • 高橋英司（混晶半導体を用いた量子井戸の電子構造の理論）
  • 西 慶子（カーボンナノ物質の電子励起状態の理論的研究）
    • 学部
  • 峯崎祐臣（中性・イオン性転移の理論的研究）
  • 桑原虎太郎（微弱光による非線形光学応答）
  • 須山友葵（３配位電子格子結合系での構造変化の理論）
  • 根来雅之（半導体中の再結合促進欠陥反応の理論）
  • 松谷　聡（４配位電子格子結合系での構造変化の理論）
  • 村崎卓也（トンネル再結合による粒子消滅の時間依存性）

    • 平成17(2005)年度

    平成17年卒業生
    学部
  • 小西優太（５回対称系の電子状態の理論的研究）
  • 仙波大輔（アモルファス超格子半導体の電子状態）
  • 中尾友彦（２電子２格子T-U-Sモデル：off-diagonalな電子格子相互作用）
  • 板東孝佳（非指数関数的減衰のシミュレーション）
  • 前北悌志（再結合促進欠陥反応のダイナミクス）
  • 小山嘉祐（カーボンナノチューブの電子状態）

    • 平成16(2004)年度

    平成16年卒業生
    学部
  • 高橋英司（不純物に束縛された電子・正孔状態）
  • 西 慶子（グラファイト・ナノチューブの電子状態）
  • 安藤嘉真（局在電子系での格子緩和のダイナミクス）
  • 尾内 大（多重障壁のトンネル効果）
  • 田坂大樹（アモルファス超格子半導体の電子状態）
  • 西口典子（拡散過程のシミュレーション）
  • 西田公哉（熱拡散と熱平衡に関するシミュレーション）

    • 平成15(2003)年度

    平成15年卒業生
    修士
  • 高橋一平（4配位共有結合半導体中のTd対称型不純物における電子励起構造変化）
    • 学部
  • 北村佑也（アモルファス超格子半導体の電子状態）
  • 南條憲一（半導体中の光誘起欠陥反応の機構と制御）
  • 森井勝巳（半導体ヘテロ界面での電子状態）

    • 平成14(2002)年度

    学部
  • 安井清隆（メービウスの帯状物質の電子状態）
  • 飯田 豪（Td対称系での電子励起構造変化）
  • 川崎敏永（中性・イオン性相転移の理論）
  • 土居正和（不純物半導体でのクーロンギャップ）
  • 横井智彰（半導体中の再結合促進欠陥反応の機構）

    • 平成13(2001)年度

    平成13年卒業生
    学部
  • 伊藤泰治（半導体での不純物間ホッピング電子移動に関するシミュレーション）
  • 高橋一平（混晶半導体の電子状態に関する理論的研究）
  • 萬代光信（アモルファス半導体の電子状態に関する理論的研究）

    • 平成12(2000)年度

    学部
    平成12年卒業生
  • 植田一充（半導体量子井戸中の不純物準位についての理論的研究）
  • 佐藤 理（アモルファス半導体の電子状態に関する理論的研究）
  • 玉置信宏（半導体中の不純物ホッピング伝導に関するシミュレーション）
  • 西嶋昭人（トンネル効果についての理論的研究）
  • 藤井高明（固体物質内の熱伝導に関するシミュレーション）

    • © 和歌山大学 システム工学部 精密物質学科 ナノサイエンス系 物性理論研究室