デバイス材料研究室
和歌山大学システム工学部のデバイス材料研究室のHPです。 酸化物半導体材料を中心に、半導体パワーデバイスや、深紫外光デバイスへの応用を目指した研究を行っています。 結晶成長方法には、ミストCVD法を用い、各種基礎物性の評価、結晶成長メカニズムの解明についての研究を行っています。
問い合わせ先： 宇野 和行 (Kazuyuki Uno), kuno[@]wakayama-u.ac.jp
News
2026年10月：修士1年生の羽渕さんが、2026年10月14日から16日まで、奈良県橿原市で開催される第45回電子材料シンポジウムで T. Habuchi and K. Uno, "Enhanced Crystal Quality and MSM Photodetector Performance of Sb-Doped α-Ga2O3 Thin Films through Sb-Induced Lattice Relaxation in Mist Chemical Vapor Deposition"というタイトルで研究発表を行います。
2026年9月：宇野が、2026年9月8日から11日まで、北海道大学で開催される2026年度秋季応用物理学会にて、「4H-SiC 基板上にミストCVD法を用いて成長した酸化ガリウム薄膜の構造評価(2)」(8p-E302-12) というタイトルで研究発表を行います。
2026年8月4日(火)：宇野が、2026年8月2日から7日まで、米国メリーランド州で開催されｒ、The 6th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materialsで Y. Oya and K. Uno, "Epitaxial growth of κ (ϵ)-Ga2O3 thin films on 4H-SiC substrates by mist chemical vapor deposition" (IWGO-TuP-21) というタイトルでポスター発表を行います。
2026年7月24日(土)：修士1年生の大宅さんが日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会の2026年度第1回研究会で、大宅、宇野「4H-SiC基板上への酸化ガリウム薄膜の成長：基板表面の化学状態と結晶成長」（発表番号１）というタイトルで研究発表を行います。
2026年3月25日(木)：6名の4年生が卒業しました。卒業後のさらなる飛躍を期待します。
2026年3月25日(木)：4年生の西端さんが、材料工学メジャー首席学生として学生表彰されました。おめでとうございます。（発表日は2026年3月6日）
2026年3月18日(水)：4年生の大宅さんが、2026年第73回応用物理学会春季学術講演会にて、発表番号18a-PA3-1、発表題目「4H-SiC基板上にミストCVD法を用いて成長した酸化ガリウム薄膜の構造評価」で研究発表を行いました。
2026年2月27日(金)：4年生の大宅さんが、2025年度の卒業研究発表会で優秀発表賞を受賞しました。おめでとうございます。
2026年1月31日(土)：修士1年生の山脇さんが日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会の2025年度第3回研究会で「a面サファイア基板表面のプローブ顕微鏡による摩擦力評価：最表面原子についての考察」というタイトルで研究発表を行いました。
ロゴについて
研究で作製している櫛型電極と、そこに光を照射している様子を意匠化したものです。