Introduction
当研究室所属の学生が日頃の研究で得られた成果を学会などで発表したリストです。
▼学会発表
- 岸 彩香さん（H28年度修士2年）
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- 岸 彩香、小田 将人、篠塚 雄三
「窒化物混晶半導体のIQB理論による電子状態計算」
第27回 光物性研究会(神戸大学)、III A-70 2016年12月3日
- Ayaka Kishi, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
「Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB theory」
Compound Semiconductor Week 2016(富山国際会議場) MoP-ISCS-094 2016年6月27日
- 岸 彩香、小田 将人、篠塚 雄三
「窒化物混晶半導体の IQB 理論 による電子状態計算」
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会（京都大学 桂キャンパス）Tu-17 2016年5月10日
- 岸 彩香，小田将人，篠塚雄三
「混晶化合物半導体のIQB modelによる電子状態計算：III-V(ZB)」
第76回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋国際会議場) 14a-2W-1 2015年 9月14日
- 中野友斗君（H28年度修士2年）
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- 中野友斗，小田将人，篠塚雄三
「酸化ガリウム中の酸素空孔によるバンド分散変化」
日本物理学会第71回年次大会(金沢大学) 14pSA-24 2016年 9月14日
- 藤本徳明君（H27年度修士2年）
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- 藤本徳明，小田将人，篠塚雄三
「IQB理論によるII-VI族化合物半導体の電子状態の計算」
第63回応用物理学会春季学術講演会(東京工業大学) 21p-P8-4 2016年 3月21日
- 松田一真君（H27年度修士2年）
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- 松田一真，篠塚雄三
「自己束縛励起子間の協力的相互作用」
第63回応用物理学会春季学術講演会(東京工業大学) 19p-P11-10 2016年 3月19日
- 辻尾健志君（H27年度修士2年）
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- 辻尾健志、小田将人、篠塚雄三
「GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化の第一原理計算」
第76回応用物理学会秋季学術講演会(名古屋国際会議場) 14p-PB12-6 2015年 9月14日
- 水越隆大君（H26年度修士2年）
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- Takahiro MIZUKOSHI, Masato ODA, and Yuzo SHINOZUKA
「First-Principles Calculation for Initial Oxidation Process on Ge(100) Surfaces」
IUMRS-ICA (Fukuoka, Japan) 2014年 8月28日
- 水越隆大，小田将人，篠塚雄三
「Ge(100)表面における初期酸化の過程の第一原理計算」
日本物理学会第69回年次大会(東海大学) 19p-P11-10 2014年 3月27日
- 藤川雄兵君（H25年度修士2年）
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- 藤川雄兵、篠塚雄三
「混晶半導体の電子状態の理論：非対角乱れ」
第24回光物性研究会 ⅢA-98 2013年12月14日
- 田中 涼君（H24年度修士2年）
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- 田中 涼、小田将人、篠塚雄三
「Si(100)表面上におけるスチレン-NH2鎖の構造安定性」
日本物理学会第68回秋季大会（徳島大学）27PSA-41 2013年9月27日
- 脇田昌紀君（H24年度修士2年）
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- 南迫大樹君（H24年度修士2年）
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- 薮下聡良君（H24年度修士2年）
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- 鈴木圭以君（H23年度修士2年）
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- 原 愛美さん（H22年度修士2年）
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- 原 愛美、篠塚雄三
「化合物混晶半導体の電子状態の理論」
第21回光物性研究会 2010年12月10日
- 原 愛美、篠塚雄三
「混晶半導体の電子状態の理論的研究」
第71回応用物理学会 2010年9月16日
- 小池 功剛君（H21年度修士2年）
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- 小池功剛、小田将人、篠塚雄三
「Lithium Phtalocyanine Iodide (LiPcIx) 結晶の電子状態」
日本物理学会第65回年次大会 2010年3月23日
- Noritake Koike, Masato Oda, and Yuzo Shinozuka
"The smallest diameter of semiconducting Carbon Nanotube"
ISPEN-2009, Wakayama, 20 November 2009
- 東 峻君（H21年度修士2年）
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- 東峻、篠塚雄三
「ナノチューブでの電子の量子的伝搬の理論」
応用物理学関連連合講演会2010年春季 2010年3月19日
- Masayuki Negoro, Satoshi Matsutani, Takashi Higashi, and Yuzo Shinozuka
"Mechanism of Capture-Enhanced Defect Reactions in Semiconductors"
ISPEN-2009, Wakayama, 20 November 2009
- 森 善彦君（H21年度修士2年）
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- 日野 篤君（H21年度修士2年）
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- 松谷 聡君（H20年度修士2年）
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- 松谷 聡、篠塚雄三
「４配位結合系における構造変化の理論」
第19回光物性研究会 2008年12月 6日 大阪市立大学学術情報総合センター
- 小山嘉祐君（H19年度修士2年）
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- 小山嘉祐、小田将人、篠塚雄三
「SW欠陥におけるカーボンナノチューブの誘電応答変化」
第18回光物性研究会 2007年12月14日 大阪市立大学学術情報総合センター
- 西 慶子さん（H18年度修士2年）
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- 西 慶子、篠塚雄三
「二層カーボンナノチューブでの励起子状態」
第17回光物性研究会 2006年12月 9日 大阪市立大学学術情報総合センター
- 高橋英司君（H18年度修士2年）
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- 高橋英司、篠塚雄三
「混晶半導体を用いた量子井戸構造の電子状態」
第17回光物性研究会 2006年12月 8日 大阪市立大学学術情報総合センター
- 高橋一平君（H15年度修士2年）
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- 高橋一平、篠塚雄三
「４配位共有結合半導体中のTd対称型不純物における電子励起構造変化」
第50回応用物理学会関係連合講演会 2003年 3月29日 神奈川大学
- I. Takahashi and Y. Shinozuka
「Structural Changes at a Td impurity induced by intra-photoexcitation and carrier capture」
The 22nd Int. Conf. on Defect in Semiconductor 2003年 8月 1日 Arhus University (Denmark)
