シラバス参照
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| 科目一覧へ戻る | 2026/04/06 現在 |
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開講科目名 ／Course |
半導体工学Ⅰ／Semiconductor DevicesⅠ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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時間割コード ／Course Code |
S1407870_S1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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開講所属 ／Course Offered by |
システム工学部／Faculty of Systems Engineering | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ターム・学期 ／Term・Semester |
2026年度／Academic Year 第1クォーター／1Q | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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曜限 ／Day, Period |
月／Mon 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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開講区分 ／Semester offered |
第1クォーター／1Q | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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単位数 ／Credits |
1.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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学年 ／Year |
3,4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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主担当教員 ／Main Instructor |
尾崎 信彦 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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授業形態 ／Lecture Form |
講義 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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教室 ／Classroom |
北１号館Ａ２０３／北１号館Ａ２０３ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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開講形態 ／Course Format |
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ディプロマポリシー情報 ／Diploma Policy |
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教員名 ／Instructor |
教員所属名 ／Affiliation |
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| 尾崎 信彦 | システム工学部（教員） |
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授業の概要・ねらい ／Course Aims |
半導体デバイスは、コンピュータ、電気機器、通信、発電、輸送、交通、照明、エンターテイメントにいたるまで幅広く使われ、さまざまな社会基盤を支えている。特に近年は国家戦略物資として重要視されている。この講義では、半導体工学IとⅡをあわせ、半導体工学に関する基礎的な部分を学修する。 半導体工学Iでは特に半導体の材料としての性質（物性）の基礎とダイオードを例とした半導体物性応用の基礎を扱う。 |
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到達目標 ／Course Objectives |
主な目標として、以下を挙げる。 （１）半導体材料の結晶としての性質を理解する。 （２）半導体材料のエネルギーバンド構造を理解する。 （３）半導体中のキャリアの性質について理解する。 （４）ドーピングによって実現されるｎ型半導体やｐ型半導体について理解する。 （５）半導体の導電性にかかわる諸性質や評価方法について理解する。 |
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成績評価の方法・基準 ／Grading Policies/Criteria |
課題および単位認定試験の点数を主として評価する。単位認定試験では、基礎的内容が把握できているか、論理立てて現象を記述説明できるかどうかを評価ポイントとする。 | ||||
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教科書 ／Textbook |
国岡昭夫、上村喜一「新版基礎半導体工学」朝倉書店、ISBN978-4-254-22138-1 （上記教科書以外に必要な参考資料は随時Moodleから配布する） |
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参考書・参考文献 ／Reference Book |
記載事項なし | ||||
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履修上の注意 ・メッセージ ／Notice for Students |
（１）予習として教科書の概要を把握し、講義とその復習で詳細内容を理解することをお勧めする。 （２）レポート課題は手書きのものをPDFファイルにして提出する。その際、Adobe Scanというフリーソフトの使用を推奨する。 （３）疑問点はできるだけ早く解決するようにすること。 （４）インターネット上の解説を鵜呑みにしない。間違った説明をしているサイトもある。 |
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履修を推奨する関連科目 ／Related Courses |
電磁気学Ⅰ、電磁気学Ⅱ、固体物理学ＡおよびＢ | ||||
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授業時間外学修（予習・復習等）の内容 ／students learning outside of the class, preparation and review are included |
（１）授業時間外学習として、授業日の前後に、予習時間と復習時間を確保すること。 （２）疑問点が生じたら、メールなどで質問して、早期に解決すること。 1単位の学修のために必要な学修量は、授業時間と予習復習の時間をあわせて45時間と定められている。それぞれに見合う自主的学修時間を確保すること。 |
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その他連絡事項 ／Other messages |
記載事項なし | ||||
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授業理解を深める方法 ／How to deepen your understanding of classes |
（１）授業時間中に紹介する半導体工学関連書籍を読んでみる。（③⑥⑦） （２）授業時間中に紹介するトピックスについて掘り下げてみる。（④⑤⑥⑦） 注：末尾の番号はアクティブラーニング実施要項の番号である。 |
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オフィスアワー ／Office Hours |
質問や相談事項は、随時受け付けますので、まずメールで連絡してください。 | ||||
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科目ナンバリング ／Course Numbering |
S13023J11111N314 | ||||
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実務経験のある教員等による授業科目 ／Practical Experience |
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| No. | 回（日時） ／Time (date and time) |
主題と位置付け ／Subjects and position in the whole course |
学習方法と内容 ／Methods and contents |
備考（担当） ／Notes |
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| 1 | １ | バンド理論の概略 | ボーアの水素原子モデル 電子軌道と量子数 エネルギー帯構造 正孔 金属・半導体・絶縁体 |
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| 2 | ２ | 半導体中のキャリア濃度（１） | 状態密度、分布関数 | |
| 3 | ３ | 半導体中のキャリア濃度（２） | 真性半導体 ｎ型半導体・ｐ型半導体 |
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| 4 | ４ | 半導体中のキャリア濃度（３） | キャリア濃度の式 キャリア濃度の温度依存性 フェルミ準位 |
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| 5 | ５ | 半導体中の電気伝導（１） | 有効質量 電界によるキャリアの移動 拡散によるキャリアの移動 キャリアの熱励起と再結合 |
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| 6 | ６ | 半導体中の電気伝導（２） | 小数キャリア連続の式 光によるキャリアの励起 |
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| 7 | ７ | 電気的特性の評価方法 pn接合ダイオード |
抵抗率の測定 pn接合のエネルギー帯図 |
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| 8 | ８ | まとめと単位認定試験 | まとめ 単位認定試験 |