シラバス参照
|
シラバス参照
|
| 科目一覧へ戻る | 2026/04/06 現在 |
|
開講科目名 ／Course |
半導体工学Ⅱ／Semiconductor DevicesⅡ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
時間割コード ／Course Code |
S1407860_S1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
開講所属 ／Course Offered by |
システム工学部／Faculty of Systems Engineering | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ターム・学期 ／Term・Semester |
2026年度／Academic Year 第2クォーター／2Q | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
曜限 ／Day, Period |
月／Mon 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
開講区分 ／Semester offered |
第2クォーター／2Q | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
単位数 ／Credits |
1.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
学年 ／Year |
3,4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
主担当教員 ／Main Instructor |
尾崎 信彦 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
授業形態 ／Lecture Form |
講義 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
教室 ／Classroom |
北１号館Ａ２０３／北１号館Ａ２０３ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
開講形態 ／Course Format |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ディプロマポリシー情報 ／Diploma Policy |
|
|
教員名 ／Instructor |
教員所属名 ／Affiliation |
|---|---|
| 尾崎 信彦 | システム工学部（教員） |
|
授業の概要・ねらい ／Course Aims |
半導体デバイスは、コンピュータ、電気機器、通信、発電、輸送、交通、照明、エンターテイメントにいたるまで幅広く使われ、さまざまな社会基盤を支えている。特に近年は国家戦略物資として重要視されている。 この講義では、半導体工学に関する基礎的な部分を学修する。 特に、ダイオードを例とした半導体物性応用の基礎、バイポーラトランジスタの原理と動作の理解、電界効果トランジスタの原理と動作の理解を扱う。 |
||||
|---|---|---|---|---|---|
|
到達目標 ／Course Objectives |
（１）金属と半導体の接触によって生じる諸現象を理解する。 （２）ｐｎ接合について理解する。 （３）太陽電池や光検出器、発光ダイオードやレーザーについて、その原理と動作を学ぶ。 （４）バイポーラトランジスタの原理と動作を理解する。 （５）電界効果トランジスタの原理と動作を理解する。 |
||||
|
成績評価の方法・基準 ／Grading Policies/Criteria |
課題と単位認定試験結果をもとに評価を行います。 | ||||
|
教科書 ／Textbook |
（１）国岡昭夫、上村喜一「新版基礎半導体工学」朝倉書店、ISBN978-4-254-22138-1 （２）必要な追加資料はMoodle上から配布する。 |
||||
|
参考書・参考文献 ／Reference Book |
記載事項なし | ||||
|
履修上の注意 ・メッセージ ／Notice for Students |
（１）教科書に書かれている概要をまず把握し、続いて詳細内容を理解するという順番で学修すると良い。 （２）レポート課題は手書きのものをPDFファイルにして提出する。その際、Adobe Scanというフリーソフトの使用を強く推奨する。 （３）レポート課題には早めに着手し、決して締切時間直前から着手しないようにする。 （４）関数電卓を使って数字の計算を行うことに慣れること。 （５）疑問点はできるだけ早く解決するようにすること。 （６）インターネット上の解説を鵜呑みにしない。間違った説明をしているサイトもある。 |
||||
|
履修を推奨する関連科目 ／Related Courses |
半導体工学Ⅰ、電磁気学Ⅰ、電磁気学Ⅱ、固体物理学ＡおよびＢ | ||||
|
授業時間外学修（予習・復習等）の内容 ／students learning outside of the class, preparation and review are included |
授業時間外学修として、授業日の前後に、予習時間と復習時間を確保すること。 1単位の学修のために必要な学修量は、授業時間と予習復習の時間をあわせて45時間と定められている。それぞれに見合う自主的学修時間を確保すること。 |
||||
|
その他連絡事項 ／Other messages |
記載事項なし | ||||
|
授業理解を深める方法 ／How to deepen your understanding of classes |
（１）授業時間中に紹介する半導体工学関連書籍を読んでみる。（③⑥⑦） （２）授業時間中に紹介するトピックスについて掘り下げてみる。（④⑤⑥⑦） 注：末尾の番号はアクティブラーニング実施要項の番号である。 |
||||
|
オフィスアワー ／Office Hours |
質問や相談事項は、随時受け付けますので、まずメールで連絡してください。 | ||||
|
科目ナンバリング ／Course Numbering |
S13023J11111N316 | ||||
|
実務経験のある教員等による授業科目 ／Practical Experience |
|
| No. | 回（日時） ／Time (date and time) |
主題と位置付け ／Subjects and position in the whole course |
学習方法と内容 ／Methods and contents |
備考（担当） ／Notes |
|---|---|---|---|---|
| 1 | １ | 半導体物性の基礎（復習） pn接合の整流性 |
教科書第１章の内容の振り返り ｐｎ接合 |
|
| 2 | ２ | ｐｎ接合ダイオード(1) | ｐｎ接合のバンド図、整流作用 | |
| 3 | ３ | ｐｎ接合ダイオード(2) | 少数キャリア注入と理想係数、逆方向回復時間 | |
| 4 | ４ | ｐｎ接合ダイオード(3) | ｐｎ接合の解析と空乏層容量 | |
| 5 | ５ | ｐｎ接合の評価と光デバイス | ｐｎ接合の評価方法と発光ダイオード、半導体レーザー、太陽電池 | |
| 6 | ６ | 金属ー半導体接触 | 金属ー半導体接触の物理と整流性 | |
| 7 | ７ | 金属ー半導体接触の評価 | 金属ー半導体接触における空乏層の解析 | |
| 8 | ８ | まとめと単位認定試験 | まとめ 単位認定試験 |